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에스오엔 모스 전계 효과 트랜지스터
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2012-12-13 -
201
- 구분
- 전자/정보통신
- 특허권자
- 한국과학기술원
- 출원번호
- KR2005-0022425
- 등록번호
- KR0583390
실리콘 기판 내부에 블리스터를 형성함으로써, 벌크 구조에서와 같이 실리콘 기판에 전압을 인가하여 문턱 전압을 조절할 수 있도록 하고, 에스오아이 구조의 가장 큰 문제점인 기판 부유 효과와 자체 발열 효과를 억제할 수 있으며, 실리콘 채널의 하부 영역에 에스오아이 구조에서 사용되는 절연막보다 절연 특성이 훨씬 우수한 공기층인 블리스터를 구현함으로써, 에스오아이 구조의 장점을 극대화 할 수 있고, 실리콘 채널의 하부 영역에 형성된 블리스터로 인하여 게이트 전압이 채널의 전위를 보다 효과적으로 제어할 수 있도록 하고, 벌크 펀치쓰루 전류의 통로를 차단하여 단채널 효과를 획기적으로 개선할 수 있으며, 실리콘 채널의 하부 영역에 형성된 블리스터가 종래 스트레인드 실리콘을 사용하여 제조된 전계 효과 트랜지스터와 같이 실리콘 채널에 장력 스트레스를 가함으로써, 실리콘 채널을 따라 이동하는 전자와 정공의 이동도를 향상시키고 초고속 동작을 가능하게 함
<에스오엔 모스 전계 효과 트랜지스터 제조 방법>
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